报告一

    报告题目：Recent progress of ZnTe-based optoelectronic devices  

　　报 告 人：田中徹（Tooru Tanaka）副教授 （日本国立佐贺大学） 

　　田中徹（Tooru Tanaka）副教授，2000年获日本国立丰桥技术科学大学电气电子工程系工学博士学位，2000年4月至2009年1月任日本国立佐贺大学理工学部电气电子工程系助理教授，2009年2月至今任副教授；2009年10月至2010年9月，美国劳伦斯伯克利国家实验室访问学者，2010年10月起兼任日本科学技术振兴机构（JST）PRESTO研究员。现为美国电气和电子工程师协会（IEEE）、日本放射光学会、日本应用物理学会、日本电气学会会员。主要从事新型高效绿色发光二极管、中间带半导体太阳能电池、以及多元化合物半导体薄膜太阳能电池的研究开发。合著专著8部，在Appl. Phys. Lett.，J. Appl. Phys.等国际重要期刊发表文章120多篇。 

　　报告二

　　报告题目：Growth of ZnTe-related alloys for pure-green light emitting diodes  

　　报 告 人：西尾光弘（Mitsuhiro Nishio）教授 （日本国立佐贺大学） 

　　西尾光弘（Mitsuhiro Nishio）教授，1986年获日本国立名古屋大学工学研究科工学博士学位，历任日本国立佐贺大学理工学部电气电子工程系助理教授、讲师、副教授，1999年起至今任教授。期间曾担任岡崎国立共同研究机构分子科学研究所副教授，佐贺大学Venture Business Laboratory 副主任，佐贺大学理工学部电气电子工程系主任等职务。现为日本放射光学会、日本真空学会、电气学会、应用物理学会会员。主要从事II－VI族化合物半导体材料的外延生长以及其光电器件的研究开发。在高质量ZnTe基合金外延层的MOCVD生长、高效ZnTe基纯绿光发光二极管的开发和商业化应用等领域有重要贡献。合著专著13部，在国际重要刊物发表论文180多篇。 

　　报告时间：10月27日（星期一）下午3：00 

　　报告地点：澳门赌场兰州化学物理研究所 理化楼三楼学术会议厅