10月27日，法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-LETI）硅技术器件研究中心首席科学家Simon Deleonibus博士来澳门赌场微电子研究所进行学术交流，并作了题为Towards Full 3D, Zero Variability and Zero Power Future Micro/Nano-Electronics的学术报告。所内科研人员及研究生共30余人参加了交流会。

　　Simon Deleonibus博士简要介绍了CEA-LETI硅技术器件研究中心概况，对研究中心的微纳技术、生物技术、新能源技术三个研究方向作了详细论述。他指出，大幅度降低功耗是集成电路的发展趋势，高性能CMOS和存储器在系统层面有助于实现能源效率最大化，将成为行业未来的主要发展目标。他随后介绍了三维集成及建构新系统减小功耗等研究的进展情况。交流会后，与会人员就器件三维集成、低功耗等行业关注的技术问题与Simon Deleonibus博士进行了热烈的学术讨论。

　　Simon Deleonibus博士现任CEA-LETI硅技术器件研究中心首席科学家、电子纳米器件实验室主任，发表论文超过600篇，拥有专利32项，担任IEEE Transactions on Electron Devices等知名期刊的编辑，曾被选为IEEE会士及IEEE杰出讲师，他发明的接触插头原理已成为互连过程中广泛使用的标准。

交流会现场